Англо-русский словарь и русско-английский словарь онлайн

Создать акаунт
Где искать:
Толковые словари
Большая советская энциклопедия

Результаты поиска (1-3 из 3)

Запоминающее устройство Искать примеры произношения
(ЗУ)

блок вычислительной машины или самостоятельное устройство, предназначенное для записи, хранения и воспроизведения информации. Наибольшее распространение ЗУ получили в цифровых вычислительных машинах (См. Цифровая вычислительная машина) (ЦВМ), а также в устройствах автоматики, телемеханики, ядерной физики и т.д. для хранения главным образом дискретной информации, для временного согласования работы нескольких объектов или накопления данных, подлежащих передаче по каналам телемеханики. Фиксация информации в ЗУ основана на различных физических принципах: механическое перемещение или удаление части материала носителя информации (См. Носитель информации) (перфорационные ленты, перфокарты), изменение магнитного состояния материала (магнитные ленты, диски, барабаны, ферритовые сердечники), накопление электростатического заряда в диэлектриках (конденсаторные ЗУ, запоминающие электроннолучевые трубки), использование звуковых и ультразвуковых колебаний (линии задержки (См. Линия задержки)), применение явления сверхпроводимости (Криогенные элементы) и др. Основными показателями ЗУ, определяющими их эффективность, являются: ёмкость М (максимальное количество слов или знаков, которые можно одновременно разместить в ЗУ), выражаемая в двоичных единицах (битах) или в байтах (8 бит); быстродействие, характеризуемое временем полного цикла обращения к ЗУ Тц (иногда временем выборки) или частотой обращения

Иногда для характеристики ЗУ пользуются обобщающим параметром - информационной мощностью W = М•F (в лучших современных ЗУ она достигает 1013 байт/сек).

В зависимости от назначения, способов размещения информации и особенностей функционирования ЗУ, как правило, классифицируют в соответствии со схемой, представленной на рис. 1. По способу поиска нужной информации различают адресные ЗУ, в которых каждой ячейке памяти присваивается определённый номер (адрес) и требуемая информация ищется по конкретному адресу, и ассоциативные запоминающие устройства (См. Ассоциативное запоминающее устройство), в которых информация отыскивается по совокупности признаков. В ЗУ возможно как последовательное, так и циклическое обращение (доступ) к ячейкам либо произвольный доступ, когда обращение к любой ячейке осуществляется независимо от её расположения среди других ячеек.

В зависимости от кратности записи ЗУ делятся на нестирающиеся, допускающие однократную запись с последующим многократным считыванием без регенерации (например, диодные матрицы (См. Диодная матрица), перфорационные карты, перфорационные ленты), и стирающиеся (ЗУ на магнитных носителях, ферритовых сердечниках, электронных триггерах и др.).

Статическими называются такие ЗУ, в которых состояния носителя, соответствующие записанному коду, неподвижны относительно носителя информации. К статическим относятся и все ЗУ с неразрушающим считыванием. В динамических ЗУ последовательность сигналов, соответствующая фиксируемому коду, циркулирует по замкнутому контуру, включающему линию задержки. Статические ЗУ могут быть устойчивыми, в которых информация сохраняется неограниченно долго (например, ЗУ на триггерах, ферритовых сердечниках), и неустойчивыми, обладающими свойством самопроизвольного стирания информации (конденсаторные ЗУ, запоминающие электроннолучевые трубки).

Для хранения больших массивов информации чаще всего применяют т. н. внешние ЗУ с записью на магнитных носителях: магнитные ленты, барабаны, диски. Путём параллельного подключения нескольких блоков ЗУ можно хранить теоретически неограниченные объёмы информации. Ёмкость современных внешних ЗУ на магнитных лентах достигает 108 байт (с подключением до 256 блоков), на магнитных дисках - до 6-108 байт; скорость ввода (вывода) 3,2-105 байт/сек для ЗУ на магнитных лентах и 2-106 байт/сек для ЗУ на магнитных дисках.

В ЦВМ для хранения данных, необходимых на ближайших этапах решения задачи, служат оперативные ЗУ, которые, как правило, строятся на тороидальных ферритовых сердечниках (до 95% всех оперативных ЗУ), реже - на др. ферромагнитных элементах (например, многоотверстных ферритовых пластинах, магнитных тонких плёнках (См. Магнитная тонкая плёнка) и др.). Весьма перспективными считаются интегральные полупроводниковые ЗУ. Ёмкость оперативных ЗУ в современных крупных ЦВМ достигает 16-106 байт; время записи и считывания (выборки) составляет от сотых долей мксек до нескольких мксек.

В больших ЦВМ в отдельный блок часто выделяют буферное ЗУ, выполняющее функции промежуточного звена при обмене информацией между устройствами с различным быстродействием (например, между оперативным и внешним ЗУ), а иногда и сверхоперативное ЗУ небольшой ёмкости (порядка нескольких сотен байт). Сверхоперативные ЗУ выполняются на запоминающих элементах повышенного быстродействия (например, тонких магнитных плёнках, туннельных диодах, триггерах). Для хранения данных, состав которых в процессе обработки определённого типа информации или решения одного класса задач не меняется (например, табличные данные, стандартные подпрограммы, неизменные программы управляющих вычислительных машин), применяют постоянные запоминающие устройства.

ЗУ адресного типа включают собственно накопитель 1, числовую часть 2, адресную часть 3 и блок местного управления или синхронизации 4 (рис. 2). Накопитель состоит из запоминающих ячеек и выполняет функции хранения информации. Числовая часть или схема записи - считывания представляет собой промежуточное звено, в котором происходит обмен информацией между накопителем и внешними по отношению к ЗУ устройствами. Она состоит из регистра числа для временного хранения записываемых или считываемых слов (чисел); формирователей записи, преобразующих код числа в серию сигналов, фиксируемых ячейками накопителя; усилителей считывания для усиления, отделения от помехи и формирования считанных сигналов. В адресной части ЗУ заданный код адреса преобразуется в совокупность сигналов, однозначно определяющих требуемую ячейку накопителя. Блок синхронизации формирует внутренние команды, обеспечивающие управление последовательностью работы всех узлов ЗУ в соответствии с поступающими извне командами. Совокупность всех блоков ЗУ, за исключением накопителя, называется электронной схемой управления, периферийным оборудованием или электронным обрамлением ЗУ.

Замечательным ЗУ является человеческий мозг, содержащий около (10-15)-109 нейронов - ячеек, совмещающих функции памяти и логической обработки информации; объём мозга в среднем 1,5 дм3, масса 1,2 кг, потребляемая мощность около 2,5 вт. Лучшие современные электронные ЗУ при такой же ёмкости занимают объём в несколько м3 при массе в десятки и сотни кг, а потребляемая мощность достигает несколько квт. Научно обоснованные прогнозы утверждают, что совершенствование электронной техники и применение новых высокоэффективных накопительных сред в сочетании с широким использованием методов бионики при решении проблем, связанных с синтезом ЗУ, позволят создавать ЗУ, близкие по параметрам памяти человека.

Лит.: Крайзмер Л. П., Быстродействующие ферромагнитные запоминающие устройства, М. - Л., 1964; его же, Устройства хранения дискретной информации, 2 изд., Л., 1969; Китович В. В., Оперативные запоминающие устройства на ферритовых сердечниках и тонких магнитных пленках, М. - Л., 1965; Каган Б. М., Адасько В. И., Пурэ Р. Р., Запоминающие устройства большой емкости, под ред. Б. М. Кагана, М., 1968.

Л. П. Крайзмер.

Рис. 1. Классификация запоминающих устройств.

Рис. 2. Упрощённая блок-схема адресного запоминающего устройства.

Ассоциативное запоминающее устройство Искать примеры произношения

Запоминающее устройство цифровых вычислительных машин, в котором выборка (запись) производится не по конкретному адресу, а по заданному сочетанию (ассоциации) признаков, свойственных искомой информации. Такими признаками могут быть: часть слова (числа), приданная ему для обнаружения среди других слов, некоторые особенности самого слова (например, наличие определённых кодов в его разрядах), абсолютная величина слова, нахождение его в заданных пределах и др.

Действие А. з. у. основано на представлении всей информации в виде ряда зон в зависимости от свойств и характерных признаков. При этом поиск информации сводится к определению зоны по заданным признакам путём просмотра и сравнения их с признаками, хранимыми в А. з. у. Существуют 2 основных способа реализации А. з. у. Первый - построение памяти, запоминающие ячейки которой обладают свойством одновременно выполнять функции хранения, неразрушающего считывания и сравнения. Такой способ реализации А. з. у. называется схемным параллельно-ассоциативным, т. е. необходимые наборы признаков хранятся во всех ячейках памяти, и информация, обладающая заданным набором признаков, ищется одновременно и независимо по всему объёму. Прототипом такой А. з. у. служат картотеки на перфорационных картах с краевой перфорацией. В качестве запоминающих элементов, схемно реализованных А. з. у., используются тонкоплёночные Криотроны, трансфлюксоры, Биаксы, магнитные тонкие плёнки (См. Магнитная тонкая плёнка) и др.

Второй способ реализации А. з. у. - программная организация (моделирование) А. з. у., заключающаяся в том, что ассоциативные связи между хранящейся в памяти информацией устанавливаются путём упорядоченного расположения её в виде последовательных цепочек или групп (списков), связанных адресами связи, коды которых хранятся в тех же ячейках памяти. Этот способ наиболее удобен для практической реализации при больших объёмах информации, т. к. обеспечивает применение обычных накопителей с адресным обращением.

Применение А. з. у. значительно облегчает программирование и решение информационно-логических задач, в сотни (тысячи) раз ускоряет поиск, анализ, классификацию и обработку данных.

Лит. см. при ст. Запоминающее устройство.

В. П. Исаев.

Ферритовое запоминающее устройство Искать примеры произношения

Запоминающее устройство, в котором носителями информации служат ферритовые сердечники (См. Ферритовый сердечник) с прямоугольной петлей гистерезиса. Ф. з. у. используются в большинстве современных ЭВМ, преимущественно в качестве оперативной памяти с обращением по произвольному адресу. Количество хранимой информации достигает в Ф. з. у. десятков млн. бит, время выборки - от десятых долей до нескольких мксек. В Ф. з. у. сочетаются высокое быстродействие, малые габариты, высокая надёжность, технологичность изготовления, экономичность. Применение ферритовых сердечников (ФС) в качестве запоминающих элементов памяти обусловлено их свойством сохранять после намагничивания одно из двух возможных устойчивых магнитных состояний, соответствующих значениям остаточной магнитной индукции (+ Br или - Br), что позволяет им хранить информацию, представленную в двоичном коде. Если по проводу, пронизывающему кольцевой ФС (рис.), пропускать импульсы тока (разной полярности), достаточные для создания магнитного поля Нт > Hc (Hc - коэрцитивная сила), то можно управлять магнитным состоянием ФС. Под действием перемагничивающего поля + Нт ФС после снятия поля оказывается в состоянии + Br, эту операцию принято называть "записью 1". Для "записи 0" подают импульс тока, создающий поле - Нт, после воздействия которого ФС оказывается в состоянии - Br. Сигнал, возникающий в проводе считывания ФС при изменении значения его магнитной индукции от + Br до - Br, называется сигналом "считывания 1"; при "считывании 0" магнитная индукция в ФС меняется незначительно и считанный сигнал оказывается значительно меньше сигнала "считывания 1". Процесс считывания сопровождается "стиранием" хранившейся информации, т.к. при этом ФС всегда переводится в состояние - Вт, т. е. записывается 0.

Поле Нт может быть создано либо одним импульсом тока, протекающим по одному проводу записи, либо несколькими импульсами тока (обычно двумя), протекающими одновременно по разным проводам, причём каждый из импульсов создаёт поле, равное или меньше Нт/2, в отдельности недостаточное для изменения магнитного состояния ФС. Способ создания перемагничивающего поля требуемой напряжённости посредством суммирования в одном ФС частичных магнитных полей от двух и более импульсов тока называется принципом совпадения токов. Этот принцип используется в большинстве современных Ф. з. у.

В Ф. з. у. все ФС собираются в ферритовые матрицы (См. Ферритовая матрица), в состав Ф. з. у. входят несколько таких матриц (иногда несколько десятков). Расположение ФС в матрице, внутренние (в матрице) и внешние (между матрицами) соединения проводов записи и считывания выбираются так, чтобы уменьшить количество электронной аппаратуры управления и повысить надёжность функционирования Ф. з. у. при заданном быстродействии и ёмкости. Наиболее распространены три системы организации Ф. з. у.: 3-мерная (или с плоской выборкой, полутоковая, матричная, типа ХУ), 2-мерная (с непосредственной выборкой, полного тока, линейная, типа Z), 2,5-мерная (занимает промежуточное положение между 3- и 2-мерной). Соответственно эти системы обозначают символами 3D, 2D и 2,5D (D - начальная буква англ. dimension - измерение, координата). Применение той или иной системы организации Ф. з. у. зависит от конкретных требований, предъявляемых к памяти ЭВМ: в Ф. з. у. малой ёмкости и высокого быстродействия обычно используют систему 2D; при средней ёмкости и высоком быстродействии или большой ёмкости и среднем быстродействии - 2,5D; при большой ёмкости и малом быстродействии - 3D. В состав Ф. з. у. входят сотни транзисторов, тысячи полупроводниковых диодов, сотни интегральных микросхем, миллионы ФС. Поэтому при создании Ф. з. у. большой ёмкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик и параметров элементов, особенно ФС, и экономичность данного запоминающего устройства. Наиболее экономичны запоминающие устройства с системой организации 3D; наименее экономична - 2D. Ф. з. у. с системой организации 2,5D позволяет при сравнительно небольших затратах получать высокое быстродействие при больших ёмкостях, что предопределяет перспективность её использования в современных ЭВМ.

Лит.: Крайзмер Л. П., Быстродействующие ферромагнитные запоминающие устройства, М. - Л., 1964; Бардиж В. В., Магнитные элементы цифровых вычислительных машин, 2 изд., М., 1974; Китович В. В., Магнитные и магнитооптические оперативные запоминающие устройства, 2 изд., М., 1975; Шигин А. Г., Дерюгин А. А., Цифровые вычислительные машины. Память ЦВМ, М., 1975.

А. В. Гусев.

Запоминающий элемент на ферритовом сердечнике (а) и петля магнитного гистерезиса (б); ФС - ферритовый сердечник; I - ток записи (считывания); В - магнитная индукция; Вr - остаточная магнитнпая индукция; Н - напряженность магнитного поля; Нm - напряженность перемагничивающего поля; Нc - коэрцитивная сила.



Словари, в которых найден искомый текст:
 Большая советская энциклопедия (3)
 Современный толковый словарь (3)
 Словарь медицинских терминов (1)


Недвижимость в Испании
Еще>>